一种C波段单片全集成SiGe BiCMOS功率放大器

作者： 乔晓明 ; 张为 ; 付军 ; 王玉东 ; 曹锐 ; 李庄

摘要： 采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于C波段相控阵雷达T/R组件的单片全集成射频功率放大器(RFPA).该放大器采用单级单端Cascode结构,工作于AB类,实现了包括偏置电路和匹配电路在内的片上全集成.芯片总面积为1.4mm×0.8mm(包括Pad).测试结果显示,在4~6GHz范围内,PA的小信号增益S21大于18dB,输入回波损耗S11小于-10dB.在5GHz中心频率下,PA的输出1dB压缩点为18.6dBm,功率附加效率为26%.最大输出功率为23.8dBm,最大功率附加效率为39.2%.设计的单级功放实现了较高的增益和效率.

关键字： 功率放大器 SiGe BiCMOS 异质结双极晶体管 相控阵雷达

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