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字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰
作者： 杨琼华 ; 蒋江
摘要： 为了避免双端口SRAM中由写干扰造成的数据写入困难,利用写干扰的时钟偏移相关性提出了一种新的字线脉冲控制技术,确定了写干扰下成功写入数据所需的最小写字线脉宽,并设计了时钟沿检测电路来解决写操作造成的写干扰.采用TSN28HPM工艺,抽取RC寄生参数后进行了后端仿真,结果表明所提方案可行有效.
关键字： 双端口SRAM 写干扰 字线脉冲控制 阈值电压波动