700VVDMOS终端失效分析与优化设计

作者： 干红林 ; 冯全源 ; 王丹

摘要： 通过电测、微光显微镜(EMMI)漏电流定位和扫描电子显微镜(SEM)形貌分析等手段,对一款700V垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件进行失效分析(FA).基于Sentaurus TCAD仿真平台进行验证,找到击穿电压失效的主要原因.在改进终端结构的过程中,通过对电流密度、电场、静电势和空间电荷等仿真模型的分析,进一步发现造成耐压不足的场板(FP)结构问题,并提出有效的改进办法.最终,经过优化得到一款耐压770V、硅表面电场分布均匀可靠的终端结构.

关键字： 垂直双扩散金属氧化物半导体器件 失效分析 微光显微镜 终端结构

---

上一篇：字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰
下一篇：基于四元小波变换自适应双变量模型的图像去噪