基于SiGe工艺的线性功率放大器设计

作者： 贯会征 ; 阎跃鹏

摘要： 基于SiGe Heterojunction Bipolar Transistors(HBT)工艺设计了一款线性射频功率放大器.该功率放大器采用三级级联结构,每一级采用自适应偏置网络,级间匹的网络集成在片内,匹配网络中的电感由绑定线实现.该功率放大器工作在2GHz,带宽50MHz,增益30dB,在1dB压缩点输出功率(P1dB)为27.1dBm,功率附加效率(PAE)为36%.该功放由3.4V电压供电,芯片尺寸1mm×0.7mm.

关键字： SIGE HBT工艺 线性 功率放大器 自适应偏置

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