DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度

作者： 赵洪利 ; 高林春 ; 曾传滨 ; 刘魁勇 ; 罗家俊 ; 韩郑生

摘要： 直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对前栅界面与背界面分别进行了测试.基于DCIV理论,将实验得到的界面复合电流值与理论公式做最小二乘拟合,不仅获得了各界面态密度,也得到界面态密度所在的等效能级.结果表明,采用了智能剥离技术制备的SOI NMOS器件背界面态密度量级为1010cm-2,前栅界面的态密度小于背界面的,量级为109cm-2,并给出了两界面态面密度所在的等效能级.

关键字： DCIV方法 SOI NMOS器件 前栅界面与背界面 界面态面密度 等效能级

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