一种2.45GHz高线性度CMOS功率放大器设计

作者： 李聪 ; 任志雄 ; 万美琳 ; 韩爽 ; 戴葵

摘要： 设计了一种带电容补偿的2.45GHz高线性度、低功耗CMOS功率放大器(PA).电路设计采用了差分结构,工作在AB类放大状态下.驱动级采用共源共栅结构,为下一级提供大的电压输出摆幅,功放级采用共源结构,负载采用LC谐振网络,提供大的输出功率.此外,设计从MOS管级对PA进行了优化,提出了PMOS管电容补偿技术,通过补偿栅源电容(Cgs),使得三阶交调失真(IMD3)减小了10dBc,从而提高了PA的线性度,并实现低功耗.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计仿真,结果表明:在2.45GHz工作点处,PA的输入反射系数小于-20dB,功率增益为25dB,功率附加效率(PAE)为27%,三阶交调失真小于-42dBc.

关键字： 功率放大器 射频 三阶交调失真 线性度提高 电容补偿 低功耗

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