湿法腐蚀制备GaN LED蓝宝石图形衬底的工艺方法研究

作者： 徐文俊 ; 李海鸥 ; 李琦 ; 翟江辉 ; 何志毅 ; 李思敏

摘要： 近几年来,蓝宝石图形衬底(PSS)制备工艺技术已成为国内外研究GaN基发光二极管(LED)的热点问题.该技术不仅能够降低GaN外延缺陷和位错密度,还能够有效提高LED的光提取效率.为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法,采用湿法腐蚀方式研制C面蓝宝石图形衬底;利用自主设计的高温腐蚀系统,在硫酸和磷酸配比为3:1,加热280℃的条件下,腐蚀40分钟得到深度大于2μm的规整图形结构,具有极高的图形占空比;分析了时间、温度、腐蚀深度等因素与腐蚀速率的关系,对PSS结构设计和实现具有参考意义.

关键字： 蓝宝石图形衬底 湿法腐蚀 腐蚀速率 GAN LED

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