铁电存储单元单粒子翻转机理仿真研究

作者： 辜科 ; 李平 ; 李威 ; 范雪

摘要： 采用电路仿真的方法对铁电存储单元中不同电路节点的单粒子效应敏感性进行了研究,分析了铁电存储单元发生单粒子翻转的机理.仿真结果表明,铁电存储单元的单粒子翻转效应与铁电电容的极化状态有关.当单粒子入射阵列中截止态NMOS管时,只会造成存"0"铁电电容的极化翻转;板线上的单粒子瞬态脉冲对存储数据无影响.根据2T2C和1T1C型铁电存储单元的读出方式,分别分析了可能发生的数据翻转类型.提出了铁电存储单元抗单粒子翻转的加固措施.

关键字： 铁电存储单元 铁电存储器 单粒子翻转 电路仿真

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