考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型

作者： 李亦清 ; 王子欧 ; 李文石 ; 李有忠 ; 陈智 ; 毛凌锋

摘要：提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明：源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重.

关键字： 量子效应 短沟道效应 表面势

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