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中国航天科技集团公司是根据国务院深化国防科技工业管理体制改革的战略部署，经国务院批准，于1999年7月1日在原中国航天工业总公司所属部分企事业单位基础上组建的国有特大型高科...
超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究
作者： 胡仕刚 ; 吴笑峰 ; 席在芳
摘要：理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明：边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.
关键字： 直接隧穿 MOSFET 栅氧化层